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学習院女子短大 | 論文
- 30a-RB-9 InAs表面n型反転層弱局在領域の電気伝導
- 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
- 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
- 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
- 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
- 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
- 4a-NM-5 イオン衝撃による固体表面上での発光
- 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
- 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
- 30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
- 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
- 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
- 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
- 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
- 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
- Si-MOS n型反転層内のアンダ-ソン局在と負磁気抵抗
- 710 幼児の体力・運動能力と活動量(歩数)との関連について
- A33 火砕流堆積物の基底部に見られる Ground layer の分布末端部での岩相変化
- 2a GA-4 Si-MOS反転層のフォノン散乱と負磁気抵抗効果
- 5p-DR-19 Si-MOSn型反転層の負磁気抵抗効果-(100)面