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学習院女子短大 | 論文
- 31p-CA-10 Si-MOS n型反転層の負磁気抵抗効果
- 12a-H-7 Cs吸着Si表面反転層の負磁気抵抗効果
- 6a-B-9 セシウム吸着シリコン表面反転層の強電界効果
- 11a-F-6 Csを吸着させたP-Si(III)表面の電気的性質
- 3p-R-11 Csを吸着させたP型Si(111)表面の電気的性質
- 14aM-6 Csを吸着させたreal Si表面の電気的性質
- 23a-G-6 Si-Csの電気的性質
- 4p-K-7 InAs表面の電流磁気効果
- 4a-TC-2 陽極酸化InAs表面反転層の異常伝導 II
- 18p-A-2 InAs劈開清浄面の磁気抵抗効果
- InAs表面二次元伝導の抵抗と磁気抵抗の異常 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-11 InAsの電界量子極限における異常磁気抵抗効果
- 12a-K-7 InAs劈開面の表面電気伝導
- InAsの表面Corbino効果 : 半導体(表面)
- 色布地明るさの照度レベルによる変化 (第14回全国大会特集号)
- 28a-E-6 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在
- 30a-FC-10 P型InAs/SiO_2界面反転層の異常磁気抵抗効果(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))