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大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所 | 論文
- 絶対仕事関数測定顕微鏡の開発
- 低エネルギー電子顕微鏡と光電子顕微鏡による動的観察と構造解析
- 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の表面研究への応用と将来展望
- LEEMによるSi(111)およびH/Si(111)上のCuナノ構造形成過程の動的観察と構造解析
- 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の像形成過程と将来展望
- 中エネルギーイオン散乱法による高温におけるCu/Si(111)"5×5"構造の解析
- 規則,不規則半導体による発光性能の向上
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- Na/Si(111)の成長過程と2次イオン放出
- 27aXE-8 水素終端Si(111)上のCu島の構造解析
- 23aW-8 LEEMを用いたSi(111)上でのCuアイランドの形成過程
- 二次イオン生成過程 : 電子トンネリングモデルと結合破壊モデル
- 共同研究成果報告 LEEM,SPE-LEEM等を用いた超薄膜成長の動的観察
- 走査トンネル顕微鏡による高温Si(111)上のCuの成長過程
- 6p-H-6 スタティックイオン衝撃によるアルカリ/Siにおける2次イオン中性化過程
- 3p-J-6 アルカリ/Siからの2次イオン放出過程
- 26a-YR-3 水素終端Si(111)上でのCu島成長過程
- 5p-B-8 水素終端されたSi(111)表面上でのCuの成長
- Cu/Si(111)成長における水素終端効果
- 31p-PSB-53 Cu/Si(111)成長におよぼす水素の影響