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大阪府大先端研 | 論文
- α-(BEDT-TTF)_2MHg(SCN)_4, (M=K, Rb, NH_4)におけるトランスファー積分の温度依存性
- 8p-C-6 (XMe_4^+DMTCNQ)_2DMTCNQ(X=N, P, As)の室温強磁性と高電気伝導
- アカウキクサにおけるアンモニア同化酵素 : 培地中のアンモニアに対する応答(8. 共生, 2004年度大会講演要旨集)
- 8-7 アカウキクサの葉の窒素固定能は葉中の共生ランソウの数によって決まる(8.共生)
- 8-24 高濃度アンモニウムイオンのアゾラに及ぼす影響 : 株間の差異について(8.共生)
- 28aTA-10 Si単結晶におけるクラスターイオン照射効果(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察
- シリコン中の窒素の構造決定
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- 24pYP-3 シリコン中の窒素の歪エネルギーの検討
- シリコンの成長における結晶中温度勾配の成長速度依存性 : バルク成長I
- シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度
- 24pY-10 CZシリコンの成長界面での熱のバランスと温度勾配
- 24aY-8 シリコン結晶への不純物ドープによる点欠陥の変化
- CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動 : 応力・不純物の効果,表面と界面,温度勾配(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
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