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大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター | 論文
- レーザアブレーション法を用いたYBa_2Cu_3O_7_-_X薄膜の作製と評価
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 508 レーザ蒸着法による YBaCuO 薄膜の配向制御と He ガス添加効果
- InAs/Al(Ga)Sbヘテロ構造の界面制御と光物性
- InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
- 半導体超薄膜の成長と物性評価
- 22pPSA-20 InAs/AlGaSb からのテラヘルツ電磁波放射
- 13a-K-7 AlSb/InAs共鳴トンネルダイオードによるInAs中のバリスティック電子のフォノンレプリカの直接観測
- 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
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- 分子線エピタキシャル成長によるIn系III-V族化合物半導体の自然形成量子ドット
- 半導体超薄膜の成長と物性評価-3-
- 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果
- 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用
- 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり (小特集 ナノデバイス)
- 3.高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり(ナノデバイス)
- CdTe障壁層中におけるPb1-xSnxTeナノドットの自己組織化とフォトルミネッセンス特性