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大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター | 論文

• 第一原理計算によるウルツ鉱構造Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯの自発分極解析
• 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製
• 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり
• α面サファイア基板上にエピタキシャル成長したＺｎＯおよび（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ単結晶薄膜のＸ線回折による評価
• フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

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