スポンサーリンク
埼玉大 工 | 論文
- 岩石内部亀裂系のフルカラー可視化法
- 三軸載荷試験のシミュレーション
- 不連続性岩盤における応力, 水, 熱の連成解析の定式化(連成解析)
- レプリカフィルムを用いた亀裂の可視化法について
- 応力によって生じた亀裂の3次元可視化技術について
- 積分形保存則に基づく不連続性岩盤の解析--応力,熱移動及び浸透流の連成解析
- 岩盤中に分布する中小規模亀裂面の定量評価手法(『土質工学会論文報告集』Vol. 27,No. 4(1987年12月発行)掲載論文の概要)
- 不規則波形を有する岩盤不連続部のせん断強度
- 岩盤中に分布する中小規模亀裂面の定量評価手法
- 亀裂および節理系岩盤の進行性破壊の解析に関する研究
- 強異方性を有する節理系岩盤の応力伝達機構
- 節理系岩盤の離散化解析について
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
スポンサーリンク