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名古屋工業大学大学院 機能工学専攻 | 論文

• MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 : Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 : Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 : Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 40眼追跡カメラを用いた乱流予混合火炎の局所燃焼速度の瞬間三次元分布の3D-CT計測(燃焼・反応(1),一般講演)
• 多方向同時撮影・三次元CT法による非定常燃焼現象の可視化計測
• 271 158眼カメラ三次元CT法による乱流予混合火炎の瞬間三次元輝度分布の時系列計測(OS4-3 燃焼現象の計測,予測,応用3,OS4 燃焼現象の計測,予測,応用)
• 270 シングルカメラ・マルチミラー光学系による乱流予混合火炎の三次元CT再構成(OS4-3 燃焼現象の計測,予測,応用3,OS4 燃焼現象の計測,予測,応用)
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

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