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名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻 | 論文
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 破壊靭性試験における試験片寸法の標準化に関する一考察
- (52) 破壊靭性試験における試験片寸法の標準化に関する一考察(平成11年秋季講演論文概要)
- 金属組織学は古い?
- Ti-M(M:Nb,Mo,Ta W)二元合金上に形成させた(Ti,M)O_2 酸化物の光電気化学特性
- OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析
- 蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析
- ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
- ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
- 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
- XAFS測定の半導体への応用
- 27aYB-3 MnF_2-CaF_2超格子のESR II
- 22aG-4 MnF_2-CaF_2超格子のESR
- 不純物XAFS--半導体中の不純物局所構造で決まる発光特性
- Fe/Cu多層構造中のFe原子周辺局所構造の蛍光EXAFS法による解析
- 実験室系のX線回折装置を使用したX線CTR測定による半導体ヘテロ構造界面評価
- 遷移温度領域における破壊靭性試験片の寸法制約
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