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名古屋大学・大学院理学研究科 | 論文
- 26pWH-4 光子スピン量子メディア変換のための結合量子ドットスピン依存量子輸送特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aPS-136 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子井戸構造における光応答特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTH-10 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における光応答特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTH-11 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における量子輸送特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
- 30a-SG-3 GaAs型偏極電子源の開発 I
- 1a-SC-1,2,3 π^+,π^0中間子光発生における標的非対称度の角分布測定 I〜III
- 4p-Y-4 名大グループで建設中の偏極陽子ターゲット
- 2p-E-2 γP→π^+n反応の偏極ターゲットによるAsymmetryの測定(II)
- 2p-E-1 γP→π^+n反応の偏極ターゲットによるAsymmetryの測定(I)
- 17p-A-7 エネルギー領域kr=500〜750Mev.発生角θ^_π=68°でのCH_2とCからのπ^+光発生実験について
- 16p-A-4 偏極陽子標的用He^^4クライオスタットの製作
- 7a-A-9 γ線によるLMN結晶の偏極度の減少
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高スピン偏極度/高輝度・電子ビーム源
- 17pRG-15 GaAs-GaAsP超格子におけるSurface-Photovoltage効果
- 6a-F-10 核子のスピン構造 : SMCの新データとBjorken和則
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