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名古屋大学・大学院理学研究科 | 論文
- 1p-H-9 3.5GeVPD弾性散乱におけるアナライジングパワーの測定
- 30p-D-2 π^-P荷電交換反応におけるπ^+π^-η系(1、4〜1、9GeV領域)の研究
- 1a-R-8 350Mev電子線によるチャネリング放射光III
- 11p-G-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光II
- 2a-R-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光
- 27p-GG-11 K^+P Reactions at 11GeV/c Using LASS
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スピン偏極電子源
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 新しいスピン偏極電子線源とその応用
- 歪み格子半導体における光励起電子のスピン偏極と緩和
- 偏極電子線陰極格子ＧａＡｓのスピン依存性発光
- 29p-YS-1 リニアコライダーのためのスピン偏極電子銃の作製(1)
- スピン電子顕微鏡の実用化をめざして
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 31p-AD-1 π^-P弾性散乱実験のターゲット・システム
- 31p-AD-2 3^He-4^He Dilution Cryostatの製作とテスト
- 20aYK-11 g因子制御量子井戸構造における量子輸送の光応答特性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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