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同志社大学工学部電気工学科 | 論文
- 待機動作を有する電子機器用電源における効率特性と全日効率に関する検討
- 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
- 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果
- 金拡散4端子MAGFETによる磁気抵抗効果
- 酢酸ナトリウム3水和物濃厚水溶液の電気核形成待ち時間の濃度依存性 : 基礎(実験)III
- 並列共振形コンバータの制御特性における漏れインダクタンスの影響について
- Siの不純物拡散に於るγ線の影響 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- コンクリートの電気的パラメータに関する一検討
- 接地サージ解析のための損失媒質パラメータ推定
- 電気核形成待ち時間の理論と実験(「核形成と成長カイネティクス」)
- 並列化によるFDTD法の演算高速化について
- 高As圧力下でのGaAsMBE成長におけるGa蒸発 : エピタキシャル成長III
- 29aC5 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成活性化過程における表面アマルガム化反応(溶液成長I)
- 29aC4 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成における核形成電位(溶液成長I)
- 第2回結晶成長講習会に参加して(閑話休題)
- 酢酸ナトリウム3水和物水溶液の電気核形成におよぼす水銀イオンの影響 : 基礎V
- プラズマ・イオン注入技術