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千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻 | 論文
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CS-6-1 分子線エピタキシー法によるInN系窒化物半導体量子井戸構造の作製と評価(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 超音波診断用ボディマークシステムの開発(医用超音波・一般)
- Shape and Texture Priors for Liver Segmentation in Abdominal Computed Tomography Scans Using the Particle Swarm Optimization Algorithm
- 質感と工学
- 手動作検出と連動した質感再現システムの開発(コンシューマ,映像メディアおよび一般)
- AS-3-7 Spatio-Velocity Contrast Sensitivity Function を用いた動画質評価法(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- 単一画像からのノイズ推定手法の評価と改善
- カメラシステムにおける複合ぼやけ補正手法の検討(画像処理・符号化とアプリケーション)
- 視覚特性を考慮したディスプレイの動きぼやけ評価法に関する一考察(ディスプレイ-IDW '07を中心に-)
- 複合材料のマイクロメカニクス・損傷解析の最新動向-VII : 面外低速衝撃による積層複合材料の損傷進展シミュレーションの最新動向
- 不均一性を考慮した血管の一次元格子モデルによる脈波の周期的挙動の数理的解析(流体工学,流体機械)
- 連続体のモデル化に用いる粒子集団が持つ物理的性質の数理的解析(流体工学,流体機械)
- 不均一部を有する血管における脈波の数理的解析(流体工学,流体機械)
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