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北海道大学 電子科学研究所 | 論文
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- Control of GaN Structural Dimensions
- 26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
- Gan系半導体の自己形成量子ドット
- 31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
- GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 5a-E-3 GaN量子ドットの発光スペクトルの温度依存性
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 超伝導磁気シールド環境下の短・中潜時聴性誘発脳磁界の計測
- 連続する楽音による聴覚誘発MEG応答 : 音楽経験との関係
- 9.連続する楽音によって誘発される脳磁界の長潜時成分(平成15年度北海道支部大会抄録)
- 社会的適応行動の動的モデリングと工学応用 : コオロギの喧嘩行動を対象として
- 1A2-4 昆虫の適応的行動選択を実現する神経回路モデルに関する研究 : NO/cGMPカスケードによる適応的行動選択のモデル化(1A2 OS:移動知1)
- 蛍光タンパク質エンジニアリングによるバイオイメージング技術の進展
- 自己組織化ハニカムフィルムに対するラット骨髄間葉系幹細胞の応答
- SCE2000-14 / MW2000-78 YBCO薄膜粒界接合の磁束ノイズ特性
- 1P216 コオロギ気流応答性介在ニューロンの応答性に対するNOによる調節(神経回路・脳の情報処理,ポスター発表,第45回日本生物物理学会年会)
- スパッタ法による窒化シリコン膜の作製(III) : プラズマ発光分析
- スパッタ法による窒化シリコン膜の作製(II) : 膜の構造特性