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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Post-Endsystolic Active Shortening in the Non-Ischemic Region Impairs Left Ventricular Pressure Fall in Acute Ischemic Heart
- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (マイクロ波)
- GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-12-3 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワークLSI
- 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワーク回路
- C-12-33 νMOSを用いた三次元セルラーニューラルネットワーク回路
- C-12-46 三次元セルラーニューラルネットワーク回路
- C-12-29 マイクロ波帯シリコンオンチップアンテナ(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-35 CMOS低雑音増幅器付きモノリシック逆Fアンテナ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al2O3 dielectric
- Gate Leakage in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors and Its Suppression by Novel Al_2O_3 Insulated Gate(Heterostructure Microelectronics with TWHM2003)
- Mechanisms of current collapse and gate leakage currents in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors
- C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- カソードウェル構造を有する InP 系共鳴トンネルダイオード
- GaN MlS界面構造の評価
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)