スポンサーリンク
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 量子細線ネットワークと論理回路応用
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- C-10-6 カーボンナノチューブ分散紙の電磁波シールド特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成
- 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価(機能ナノデバイスとおよび関連技術)