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光技術共同研究所 | 論文
- InドープGaAs結晶のセル成長 : 融液成長II
- 31p-F-4 価電子状態と内殻励起
- RHEED振動とフォトルミネッセンスによるMBE成長 : AlGaAs-GaAsヘテロ界面の単分子層ステップの観察 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
- 3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
- MLEC法GaAs結晶中のストリエーション
- LEC法不純物添加GaAs単結晶
- X線透視法による砒素雰囲気LEC法GaAs結晶 : 融液成長III
- GaAs単結晶作成における固液界面 : 融液成長II
- 減圧OMVPEによるAl_Xga_Asの選択成長 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
- TEGを用いたGaAs, AlGaAs減圧OMVPE : エピタキシー
- GaAs減圧OMVPEのガス分析 : エピタキシー
- GaAsのノンストイキオメトリ-の評価--格子定数精密絶対測定法
- 化合物半導体の機能と界面制御 (2次元の化学--表面・界面の性質とデザイン)
- GaAs引上げ結晶高品質化への2つの重要課題--(1)発表された"無転位結晶"はほんとうに無転位か(2)ストイキオメトリ-(結晶の組成制御)はどこまで可能か (Annual Review ′85--新市場編)
- OEICへの展望 (エレクトロニクス30周年記念特集)
- 半導体集積回路の多機能化はどこまで進むか--光と電子の集積化による多機能化 (極限技術と応用物理特集号) -- (素子の機能の極限)
- 光デバイスの将来動向
- 30p-H-4 III-V族化合物半導体中の格子欠陥に関する諸問題
- 減圧MOCVD法によるGaAsの選択エピタキシャル成長
- 29p-Q-2 シリコンの結晶成長と欠陥