減圧MOCVD法によるGaAsの選択エピタキシャル成長

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概要

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• 1984-07-05

著者

• 香門 浩一

  光技術共同研究所

• 高岸 成典

  光技術共同研究所

• 香門 浩一

  住友電気工業(株)基盤技術研究所

• 森 英樹

  光技術共同研究所

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