香門 浩一 | 住友電気工業(株)基盤技術研究所
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概要
関連著者
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香門 浩一
住友電気工業(株)基盤技術研究所
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石井 恂
三菱電機(株)中央研究所
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香門 浩一
光技術共同研究所
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高岸 成典
光技術共同研究所
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山口 剛司
住友電工
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木村 康三
光技術共同研究所
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難波 宏邦
住友電気工業株式会社
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三原 稔
光技術共同研究所
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石井 恂
光技術共同研究所
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難波 宏邦
住友電工
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大坂 始
住友電工
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香門 浩一
住友電工
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樋口 文章
住友電工
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樋口 文章
住友電気工業株式会社
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難波 宏邦
住友電気工業
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堀口 青史
光技術共同研究所
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嶋津 充
住友電気工業(株)基盤技術研究所
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嶋津 充
光技術共同研究所
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森 英樹
光技術共同研究所
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嶋津 充
住友電気工業
著作論文
- 減圧OMVPEによるAl_Xga_Asの選択成長 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
- TEGを用いたGaAs, AlGaAs減圧OMVPE : エピタキシー
- GaAs減圧OMVPEのガス分析 : エピタキシー
- CVD反応によるZnSeの合成(III) : 気相成長
- CVD反応によるZnSeの合成(II)
- CVD反応によるZnSeの合成 : 気相成長
- 減圧MOCVD法によるGaAsの選択エピタキシャル成長
- AlGaAs系化合物半導体の選択成長