29p-Q-2 シリコンの結晶成長と欠陥
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-03-12
著者
-
松下 嘉明
超lsi技術研究組合共同研究所
-
飯塚 隆
超LSI技術研究組合共同研究所
-
岸野 正剛
超LSI技術研究組合共同研究所
-
吉広 尚次
超LSI技術研究組合共同研究所
-
飯塚 隆
光技術共同研究所
関連論文
- 29p-Q-2 シリコンの結晶成長と欠陥
- Siウェ-ハの広領域薄膜化作製技術
- Siウェーハの広領域薄膜化作製技術
- 30p-H-6 III-V化合物半導体中の欠陥と結晶成長
- 引上げシリコン結晶の熱誘起微小欠陥に対する炭素の影響