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信越半導体 | 論文
- 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット生成(III) : 融液成長VI
- 垂直磁場印加(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成 : 融液成長V
- 赤外干渉法によるCZ-Si結晶中各種欠陥の評価
- 29aA11 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成(IV)(融液成長V)
- FZシリコン単結晶中のA欠陥とD欠陥(ことばの泉)
- FZ法シリコン単結晶中の成長縞のエッチング法観察と電気抵抗率の関係 : 評価
- as-grownシリコン単結晶中のフローパターンが結晶品質に与える影響 : 融液成長V
- シリコン単結晶中のD欠陥評価法の開発と結晶育成条件との対比への応用 : シンポジウムI
- シリコン融液表面の対流直接観察(バルク成長)
- MCZ法シリコン単結晶中の成長縞に対するるつぼ回転の影響 : 融液成長IV
- 5p-A3-7 CZシリコン結晶の成長速度および温度勾配の点欠陥に与える影響
- 2011年日本結晶成長学会特別講演会「バルク半導体結晶開発に見る温故知新」感想文(学会活動報告)
- 直径300mmシリコン基板実用化における課題
- CZ-Si結晶成長におけるGrown-In欠陥の直径効果 : 半導体液相成長II
- シリコンの結晶成長と次世代基板技術
- 延性モード研削によるシリコンウェーハの加工
- 半導体シリコン結晶工学 : 志村史夫著, A5判436頁, 丸善1993年9月刊, 定価8,858円(税込)
- 1p-TE-6 シリコン融液からの結晶成長と点欠陥の拡散
- シリコン結晶中の点欠陥と2次欠陥
- Si結晶の不均一性の原因