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信越半導体 | 論文
- シリコン融液成長における軽元素の偏析現象 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- 30p-RC-5 陽電子消滅法による半導体格子欠陥の研究
- 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
- プログラム・デバッグ支援システム「EXSEED」の開発
- 30a-ZG-12 高速重イオンの固体内荷電とスクリーニング(放射線物理)
- 25p-L-11 高速重イオンの固体内荷電の決定
- シリコン単結晶引き上げ装置用高温超電導マグネットの通電試験結果
- シリコン単結晶引き上げ装置用高温超電導マグネットの開発現状
- ボロンドープ低抵抗率シリコンウェーハの酸素析出新評価法
- シリコンウェーハに施されたゲッタリング手法の能力評価
- 20世紀とシリコン単結晶
- 役に立つ研究
- 貼り合わせSOIウエハーの今後の展開 -作製と評価-
- ULSIのための貼り合わせSOI基板とその製作技術
- 大直径シリコンウェーハの超平たん化技術 ( ミクロを創る 2.半導体-2)
- ULSI のための貼り合わせ SOI 技術
- ULSI時代のシリコン単結晶の課題(機能素子・部品と単結晶育成)
- 8a-S-13 低速引き上げSi結晶中grown-in微小欠陥の放射光トポグラフィ観察III
- 31p-A-13 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察
- 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察II