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住友電気工業株式会社半導体技術研究所 | 論文
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 200℃動作SiCスイッチングモジュールの開発
- CS-2-1 マイクロ波デバイス産業界から高等教育に期待すること(C-2. 高等専門教育課程におけるマイクロ波研究,シンポジウムセッション)
- 末梢交感神経活動電位を用いた糖尿病性神経障害の評価
- B-9-1 高速スイッチングSiC JFETによるPWM電源(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- 半極性 {2021} 面窒化ガリウム基板上純緑色半導体レーザーの開発
- 200℃動作SiCスイッチングモジュールの開発
- 脂肪組織の脂肪酸組成に及ぼす黒豆エキスの効果
- ラット片側坐骨神経内交感神経束へのmicrostimulationに対する対側交感神経活動反応(BCI/BMIとその周辺,一般)
- 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)