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住友電気工業(株)半導体事業部 | 論文

• イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
• ゼオライト膜を用いたバイオエタノールの濃縮脱水プロセスの経済性評価
• 縦型ボート法で成長した大口径低転位密度GaAs単結晶(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
• イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
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• 最近の化合物半導体基板技術動向
• エピタキシャル成長技術概説

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