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京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 | 論文
- MOCVD-YBCO線材における臨界電流の可逆ひずみ特性におよぼす温度および磁場の影響
- MOCVD-YBCO導体のI_c-ひずみ特性における磁場効果
- MOCVD-YBCO導体の電磁機械特性から見たSMESコイルの蓄積可能エネルギーならびに最適運転温度に関する検討
- MOCVD-YBCO線材の液体窒素中疲労破壊挙動
- YBCOバンドル導体の電磁機械特性
- デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
- クラスターイオン注入とデバイスプロセス
- ガスクラスターイオンビームによる表面エッチング
- ガスクラスターイオンビームプロセッシング
- 分子動力学法によるホウ素クラスターイオン注入のシミュレーション
- 23aRB-2 巨大Arクラスター衝突によりSiから生成される二次イオンにおける入射速度効果(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 19aXJ-4 サイズ選別されたクラスターイオン照射における二次イオン収率測定(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-7 サイズ選別されたクラスターイオンにより生成される二次イオンの測定(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aTA-6 スパッタリングにおけるイオン化確率の入射クラスターイオン種依存性(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- クラスターイオンビーム技術の最近の進展 (特集 クラスタービームとその応用技術)
- 高速重イオンを利用したイメージング質量分析
- 24aRB-2 高分解能イメージング質量分析へ向けたイオン入射条件の探索(原子分子・放射線融合(イオン-表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- クラスターイオンの新しい展開--ナノプロセスから先端分析応用
- 19pYR-9 MeV重イオン衝撃スパッタリングによる励起状態分子放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-5 巨大ガスクラスターイオン衝突による半導体材料からの二次イオン放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
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