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九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻 | 論文
- Si(111)7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Si(111)-(7×7)DAS構造上のホモエピタキシャル成長過程のSTMによるその場観察 : 成長界面IV
- Si(111)-(7×7)DAS構造の原子レベルでの形成メカニズム : 成長界面IV
- Si(111)7x7DAS構造形成過程のSTMによるその場観察
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
- 24aPS-34 Si(111)7×7上のステップとアイランドの終端部のSTM観察