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三重大学工学部電気電子工学科 | 論文
- 2次の零スペクトル符号のサイズ
- 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
- 耐熱性ポリジメチルシロキサン系ハイブリッド絶縁材料の開発
- 耐熱性ポリジメチルシロキサン系ハイブリッド絶縁材料の開発(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
- PDMS系有機-無機ハイブリッド材料のガスケット材料への応用
- PDMS系有機-無機ハイブリッド材料のガスケット材料への応用(機能性有機薄膜,一般)
- ポリジメチルシロキサン系ハイブリッド材料の電気物性(有機新材料,一般)
- 有機-無機ハイブリッド材料とその接着剤への応用
- 有機-無機ハイブリッド材料とその接着剤への応用(有機材料,一般)
- ゾル-ゲル法による有機-無機ハイブリッド材料の低温作製と機能化
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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