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三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 | 論文
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
- Prドープファイバアンプ励起用1.02μm高出力半導体レーザ (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- C-10-16 GSM用電力増幅器の出力電力制御方式に関する実験的検討(C-10.電子デバイス)
- GaN広帯域高出力MMIC増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
- C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 超高精細映像伝送用25Gbps光リンクの提案(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大波長変換器の10.3Gbps動作実証(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高効率ファイバ結合型半導体レーザー
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
- CT-1-4 携帯電話用HBT電力増幅器(CT-1.移動体通信を支える化合物半導体デバイス,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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