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三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 | 論文
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- アナログ携帯電話用電力増幅器MMICの技術展望
- アンテナ給電用薄型光モジュール
- アンテナ給電用薄型光モジュール
- C-3-14 メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- C-3-9 アンテナ給電用薄型光モジュール
- アンテナ給電用薄型LDモジュール
- 表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 高調波負荷を最適化した高出力低位相雑音76GHz MMIC発振器(電子回路)
- 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-9 高調波負荷整合回路付きKa帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-57 ミリ波帯RFプローブパッド構造の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAs IC ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 動作電圧範囲の広いSCFL-DCFLレベルシフト回路の検討