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三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 | 論文
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- 複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振の解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 低インピーダンスプローブによるオンウエハ大電力特性評価
- 1.75GHz高出力MOSFETの高効率化
- Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- 50GHz帯超低雑音増幅器MMIC
- C-2-48 複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振の解析(3)
- C-2-47 複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振の解析(2)
- Pseudomorphic HEMT及びDual Gate GaAs MES-FET MMICのγ線照射効果
- 0.7W Ka帯電力増幅器MMIC
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル