スポンサーリンク
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 | 論文
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- モノリシック集積化光波長変換器の開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器