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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- 全MOCVD成長による1.48μm帯高出力レーザの信頼性
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-6 2倍波反射スタブ装荷合成回路によるバランス形増幅器の高効率化の検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-30 ドレーンドライブ型送受切り替え方式の受信時損失低減の検討
- C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
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- GMPLSによる全光パスリルーティングフィールド試験(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
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- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-1 FET可変Q共振器を用いた定位相温度補償減衰器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
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