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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- レジスティブミクサの動作解析
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
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- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
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- C-4-31 光アシスト光源を集積化した波長変換器素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-72 ポリマー導波路フィルムを用いた光スイッチに関する検討
- C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- ピーク電力注入によるバランス型増幅器の高効率, 高出力化(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
- C-2-31 バランス型増幅器のピーク電力注入による高効率化の検討
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