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三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所 | 論文
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 小形・広帯域 Bridged-T 形移相器
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
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- C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
- C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- C-2-16 点対称バランを用いたプッシュプル増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-10 外部検波型X帯リミッタの高ダイナミックレンジ化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
- 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討 (エレクトロニクスシミュレーション)
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