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三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 | 論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-2-55 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-3-32 入力ダイナミックレンジを拡大した43Gbps用波長変換器の開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 100Gb/sイーサネット用1.3μm帯25Gb/s EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 100Gイーサネット用25.8/28Gbps EAM-LDモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 引張り歪非対称量子井戸構造43Gbit/sEA変調器集積DFB-LDの40℃動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 11.1Gbps-80km伝送用セミクールドEAM-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77GHz MMIC VCO(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-9 高出力擬似回折限界テーパ型レーザ増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- 高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 超広帯域L/C切換反射回路MMIC実装型S帯5ビットマルチチップ移相器
- C-2-1 L/C切換回路を用いたS帯マルチチップ5ビット反射型移相器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
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