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ルネサス北日本セミコンダクタ | 論文
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 40Gb/s光伝送用SiGe HBT前置増幅器の試作
- 分割モデルによる自己整合型ハイボーラトランジスタのベース抵抗の検討
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 自己整合選択成長SiGe HBT構造の最適化
- 組み込み機器のステレオ計測と人数カウントシステムの開発
- 信号線路構造と電源供給の工夫による0.18μmノードCMOSインバータの6Gbps動作の確認(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
- 信号線路構造と電源供給の工夫による0.18μmノードCMOSインバータの6Gbps動作の確認(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)