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ソニー 中研 | 論文
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- ZnMgSSe系青色半導体レ-ザ (2-6族半導体発光材料の物性と青色デバイス)
- 202 Sn-Ag-Bi系無鉛はんだ材料の開発
- 6)アナログ階調強誘電性液晶表示素子(情報ディスプレイ研究会)
- アナログ階調強誘電性液晶表示素子
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- MBE成長GaAsの表面欠陥と成長条件 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
- フラーレン類化合物の化学反応性と分子軌道計算
- 応用物理と社会 (〔応用物理〕創刊50周年記念特集号) -- (50周年記念講演)
- 研究ノ-トの一ペ-ジから (〔応用物理〕創刊50周年記念特集号)
- アモルファス半導体--1つのグル-プの仕事の歩み(研究ノ-ト)
- W.Shokleyの頑固さについて
- ゲルマニウム単結晶からCu原子を引き出す実験
- 2-6青色LDは第2フェ-ズへ--490nm室温連続発振の衝撃--残るは信頼性,長寿命化 (マルチメディア時代のキ-デバイス--青色デバイス革命) -- (青色LD編)
- 極薄膜半導体超格子
- 6. イメージングプレート平面波X線トポグラフィによるSi単結晶の格子歪み解析
- IPトラバース露光法を利用した平面波X線トポグラフの強度分布補正
- イメージングプレートを利用した平面波X線トポグラフィによるシリコン単結晶の格子歪み解析
- ディジタルX線トポグラフィによるシリコンの微小ひずみ解析システムの開発