スポンサーリンク
ソニー(株)厚木テクノロジーセンターセミコンダクターカンパニー超lsi研究所先端素子研究部 | 論文
- サブクォータミクロンを有するMONOS型メモリーセルの開発 : ボトム酸化膜へのRTN処理の効果
- 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- ED2000-45 / SDM2000-45 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- MONOSメモリのトラップ密度に依存したプログラム特性の解析モデルとMONSメモリへの応用
- 様々なトラップ密度を有するMONOSメモリのトンネル注入に基づくプログラム特性の解析的モデルとMONSメモリの提案
- 4Mbit MONOSメモリーセルアレイにおける狭いVthの分布とセルオペレーションに対する影響