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サンディスク株式会社 | 論文
- 4.国際核融合エネルギー研究センター事業(幅広いアプローチ計画の概観と展望)
- NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 7.8MB/sを実現する64Gb 4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー(メモリ技術)
- 3.ブランケット機能材料(核融合炉環境に耐える機能材料の開発)
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
- 核融合炉ブランケット研究におけるベリリウム化合物の取り扱い
- 24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 招待講演 18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発 (集積回路)
- 19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 19nm64Gbit 多値(2bit/cell)NAND フラッシュメモリの開発
- 18MB/Sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発
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