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(株) 日立製作所中央研究所 | 論文
- 1MV 電子波干渉型電子顕微鏡の開発
- 高解像度MOS形固体撮像素子
- 絶縁膜埋め込み型AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- 低飽和磁界を有するGMR多層膜
- 位相限定相関法に基づく電子顕微鏡画像の倍率推定アルゴリズムとその高精度化
- 微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
- 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
- 5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
- 5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
- 10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
- 4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- 二波長光散乱によるウエハ全面における表層欠陥のサイズと深さの計測技術 (OSDA)
- 位相限定相関法による TEM オートフォーカス
- 透過電子顕微鏡による微細結晶構造の立体観察 (特集:微細構造内の分析・観察技術)
- リスタート付ランチョス法における実行時パラメータ自動チューニング方式の提案(HPC-10 : 自動チューニングI)