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(株)東芝 材料デバイス研究所 | 論文
- スピンバルブGMRにおけるESD耐性のリード構造依存性
- p-Si Transistors/Displays, Substrate Processing(SID'99報告 :Active-Matrix LCDs)
- SID'99報告 : Active-Matrix LCDs (p-Si Transistors/Displays, Substrate Processing)
- SID'94技術報告(AMLCD,Manufacturing) : 情報ディスプレイ
- 5-7 TFT-LCD用新低消費電力マルチメディア表示方式
- 5VドライバICによる信号線反転駆動 : 低消費電力化の実現
- a-Si:H TFTオフ電流の過渡特性
- アモルファス・シリコン薄膜トランジスタのオフ状態におけるダイナミック特性
- S3-1 液晶ディスプレイ用TFTマトリックス回路
- 低抵抗Mo-W合金ゲート線TFT-LCD
- 低抵抗Mo-W合金ゲート線TFT-LCD
- 高開口率画素構造と補償駆動を用いた9.5インチTFT-LCD
- a-Si TFT-LCDにおける書込み時の簡易設計法の検討 : 高速化計算法 : 非発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- Active Matrix LCDs (1)
- アクティブマトリックス形液晶ディスプレイにおけるアドレスライン抵抗の影響
- 9.5インチ液晶カラーディスプレイ
- 強誘電体を用いた記録保持型LCD
- 強誘電体を用いた記録保持型LCD
- 強誘電体膜を用いた記録保持型LCDの動作原理検討
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