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(株)富士通研究所基盤技術研究所 | 論文
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- 走査型非線形誘電率顕微鏡によるフラッシュメモリ中の蓄積電荷の可視化
- 微小液滴形成ユニットのための印刷型圧電アクチュエータの研究(機構デバイス)
- ArFリソグラフィに向けたレジスト材料の開発
- 電子写真プリンタ用重合法トナー ( ミクロを創る 4.重合体-2)
- 磁気ディスク用圧電マイクロアクチュエータ
- C-6-12 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた Si_3N_4/SiO_2/Si 半導体基板への電荷記録
- 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)
- HFによる酸化物除去に伴うSi(111)表面の疎水化過程
- ArF液浸レジスト
- 自己形成量子ドットレーザー
- Diffie-Hellman方式に対するメッセージ選択型電力解析(サイドチャネル攻撃,暗号と情報セキュリティ実装技術論文)
- 26aPS-20 D:Si(111)1x1表面のSi-D変角振動の基板表面層との相互作用
- 27a-PS-59 赤外振動分光によるH吸着Si表面の局所構造解析