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(株)富士通研究所基盤技術研究所 | 論文
- 研究開発における環境戦略(学生/教養のページ)
- 2.化合物半導体デバイスの将来展望(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- Siの異方性エッチングと直接接合を用いた微小液滴形成ユニットの研究(機構デバイス)
- 次世代デバイスに向けたSi基板上のPZTエピタキシャル薄膜の特性(新型不揮発性メモリー)
- ECOC2010報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ECOC2010報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 3元基板上のGaInAs長波長半導体レーザ
- 自己形成InGaAs量子ドットにおけるフォノンボトルネック現象の観察
- 自己組織化InGaAs量子ドットレーザー
- 宇宙線中性子ソフトエラー解析用シミュレータとその応用
- 5-2 植物性プラスチックのパソコンきょう体への応用 : CO_2の排出を減らし環境に優しいパソコン素材(5.環境への負荷を減らす,環境を守る)
- CLEO/QELS 2000報告
- ECOC2010報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 強誘電体メモリーの高信頼化技術の開発
- スパッター法によるチタン酸ジルコン酸バリウム薄膜の作製と評価
- PbNi_Nb__3-PbTiO_3-PbZrO_3 セラミックスの相境界付近における圧電特性
- SNDMによる Flash Memory の蓄積電荷の視覚化
- 単結晶基板の表面を比較する-特集のまとめ-
- 強誘電体薄膜のメモリー応用
- 自己組織化量子ドットの物性と応用
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