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(株)半導体理工学研究センター | 論文
- "復興"メモリと日本の明日に向かって(パネル討論,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- パラメータ推定に基づくIDDQ電流しきい値決定のオンラインテストに向けた高速化(ディペンダブル(1),システムオンシリコンを支える設計技術)
- 非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 低電圧動作限界に挑戦する極低消費電力LSI回路技術の最新動向
- ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM