東出 政信 | ルネサスエレクトロニクス(株)
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概要
ルネサスエレクトロニクス(株) | 論文
- 携帯電話端末システムにおける高周波部品の進化
- クラスタボロン注入を用いた浅いソースドレインエクステンションの形成
- 32nmノード以降のメタルゲート/high-k CMOSの接合形成技術
- 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成
- 30Vゲート/80Vドレイン耐圧を有する双方向型MOSFETへのチャネルストッパーの適用効果