日高 義和 | 日本電信電話公社茨城通研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
日高 義和
日本電信電話公社茨城通研
-
日高 義和
NTT光エレクトロニクス研
-
日高 義和
Ntt境界研
-
日高 義和
NTT境界領域研究所
-
伊達 宗行
阪大理
-
鈴木 実
Ntt境界研
-
日高 義和
NTT光エレ研
-
鈴木 実
NTT光エレ研
-
杉山 清寛
阪大理
-
日高 義和
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
鈴木 実
NTT 境界線領域研究所
-
近藤 修
阪大極限セ
-
疋田 真
Ntt Opto-electronics Laboratory
-
近藤 修
阪大理
-
疋田 真
NTT光エレクトロニクス研究所
-
吉田 立
中日本自動車短大
-
富山 大士
阪大理
-
村上 敏明
NTT研究所
-
村上 敏明
Ntt光エレ研
-
日高 義和
Ntt境界領域研
-
狩元 慎一
Ntt境界研
-
日高 義和
NTT電子応用研
-
狩元 慎一
NTT境界領域研究所
-
吉田 立
阪大理
-
鈴木 実
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
村上 敏明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
村上 敏明
NTT光エレクトロニクス研
-
白根 元
BNL
-
尾野 充
阪大理
-
Birgeneau R.J.
MIT
-
白根 元
Brookhaven National Laboratory
-
日高 義和
NTT電応研
-
R.J Birgeneau
MIT
-
田辺 圭一
NTT境界領域研究所
-
Yamada Kotaro
Department Of Engineering Hiroshima University
-
Birgeneau R.
Ucberkeley
-
Birgeneau R.
Department Of Physics And Cneter For Materials Science And Engineering
-
田島 幸道
NTT光エレ研
-
Birgeneau J.r.
Department Of Physics And Center For Materials Science And Enginnering Massachusetts Institute Of Te
-
Birgeneau J.
Department Of Physics Massachusetts Institute Of Technology
-
R.j Birgeneau
Univ. Toronto Ontario Can
-
日高 義和
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
-
村上 敏明
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
-
伊土 政幸
北大理
-
小田 研
北大理
-
鈴木 勝
電通大・物理
-
遠藤 康夫
東北大 理
-
山田 和芳
東北大理
-
遠藤 康夫
東北大理
-
山田 和芳
東北大 理
-
浅野 肇
筑波大物質工
-
千葉 芳明
宮城教育大学
-
松田 雅昌
東北大理学部
-
伊達 宗行
阪大極限セ
-
金道 浩一
阪大理
-
千葉 芳明
宮城教大
-
紺谷 直人
阪大理
-
神山 崇
筑波大物質工
-
久保 衆伍
NTT境界領域研究所
-
浅野 秀文
NTT境界領域研究所
-
久保 衆伍
Ntt基礎研究所
-
疋田 真
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
加倉井 和久
東北大理
-
奥田 雄一
東工大理工
-
奥田 雄一
東京工大院理工
-
浅野 肇
筑波大物質
-
日高 義和
NTT 境界研
-
浅野 秀文
Ntt境界領域研
-
鈴木 勝
電通大物理
-
山口 光城
東工大理
-
日高 義和
NTT研究所
-
鈴木 実
NTT研究所
-
Thurston T.R.
MIT
-
加倉井 和久
東北大 理
-
松田 雅昌
東北大 理
-
宮原 一紀
NTT境界領域研究所
-
加藤 かおる
NTT境界研
-
狩元 慎一
NTT 境界線領域研究所
-
富山 太士
阪大理
-
近藤 修
阪大埋
-
尾野 充
阪大埋
-
吉田 立
阪大埋
-
杉山 清寛
阪大埋
-
富士 大士
阪大理
-
日高 義和
NTT 光エレ研
-
田島 幸道
NTT 光エレ研
-
Birgeneau R
Department Of Physics University Of California
-
Birgeneau R.
Department Of Physics University Of Toronto Toronto
-
Thurston T.r.
東北大理
-
神山 崇
高エネルギー加速器研究機構
-
加藤 かおる
NTT研究所
-
宮原 一紀
東京電機大 大学院情報環境学研究科
-
鈴木 禎
東大物性研
-
松田 雅昌
東北大理
-
奥田 雄一
東工大理
-
勝井 明憲
日本電信電話公社茨城通研
-
久保 衆伍
NTT境界領域研
-
小田 研
日本電信電話公社茨城通研
著作論文
- 31p-PS-40 La_2CuO_4の磁性と電気伝導 II
- 31p-PS-3 単結晶La_Sr_CuO_4の超音波測定
- 6p-Z-1 La_<:2-x>l:Sr_xCuO_<:4-y>l:の磁性と伝導における熱処理効果
- 3a-F-15 Nd_2CuO_4とLa_2CuO_4系の磁気的性質と2次元スピン揺動
- Bi-2212イントリンシックジョセフソン接合のトンネル特性
- Bi-2212イントリンシックジョセフソン接合の電流電圧特性
- 1p-PS-17 高温超伝導体エピタキシャル薄膜の抵抗転移
- 30p-PSA-33 電気化学的手法によるNd_Ce_xCuO_yの還元
- 1a-D-11 YBCO大型単結晶の育成
- 30p-PS-30 Nd_Ce_xCuO_4の強磁場磁性II
- 29p-APS-97 Nd_Ce_xCuO_4の強磁場磁性
- 3a-TD-2 Pr_2CuO_4のESR
- 2a-F-15 Pr_2CuO_4の強磁場磁化とPrの基底状態
- 2a-F-14 Nd_2Cu0_4の磁場誘起相転移
- 31p-PS-67 Nd_2CuO_4の強磁場磁化過程
- 31p-PS-50 電子系酸化物超伝導体の強磁場磁気抵抗
- 30p-X-2 Nd_2CuO_4のESR
- 3p-Z-16 Nd_Ce_xCuOy単結晶の上部臨界磁場
- 3a-Z-11 Nd_Ce_xCuO_単結晶におけるゆらぎ伝導と磁気抵抗
- 5a-F-9 Nd_2CuO_4の磁性
- 31p-B1-2 BaPb_Bi_xO_3の構造相転移(31p B1 低温)
- 31p-B1-12 BaPb_Bi_O_3薄膜電気特性の基板方位依存性(II)(31p B1 低温)