飯塚 貴弘 | 広島大学HiSIM研究センター
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概要
広島大学HiSIM研究センター | 論文
- 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETモデル評価用テスト回路(2) : 入力電圧の微少変化の増幅
- MOSFETモデル評価用テスト回路(1) : しきい値電圧付近の電流領域の評価
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)