Okamoto Naoya | Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

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概要

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• 同名の論文著者
• Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japanの論文著者

関連著者

• OKAMOTO Naoya

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• KIKKAWA Toshihide

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• OHKI Toshihiro

  FUJITSU LABORATORIES LTD.

• Ohki Toshihiro

  Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

• Okamoto Naoya

  Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

• Ozaki Shiro

  Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

• Kanamura Masahito

  Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

• Kikkawa Toshihide

  Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

著作論文

• Effect of Atomic-Layer-Deposition Method on Threshold Voltage Shift in AlGaN/GaN Metal--Insulator--Semiconductor High Electron Mobility Transistors

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