野村 英之 | 金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
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概要
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻 | 論文
- (190)創成科目「電気電子システム設計」「自主課題研究」の取組み(セッション55 創成教育VIII)
- 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
- MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価