宮崎 雄一郎 | 旭硝子株式会社企画室

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概要

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論文 | ランダム

• ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
• 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
• C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価
• 強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価
• ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善

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